Достоинства Джонсона - Johnsons figure of merit - Wikipedia

Достоинства Джонсона мера пригодности полупроводник материал для применения и требований высокочастотных силовых транзисторов. В частности, это продукт носитель заряда скорость насыщения в материале и электрический пробой месторождения при тех же условиях, впервые предложенных Эдвардом О. Джонсоном из RCA в 1965 г.[1]

Обратите внимание, что это добродетель (FoM) применимо к обоим полевые транзисторы (Полевые транзисторы ), а при правильной интерпретации параметров также биполярные переходные транзисторы (БЮТ ).

Примеры материалов

[2]

МатериалСкорость насыщения
x105 РС
VАвария
МВ / см
JFM
Si = 1,0
Примечания / ссылки
Кремний1.00.31.0[2]
GaAs1.50.42.7[2]
SiC2.03.520[2]
InP0.670.50.33[2]
GaN2.53.327.5[2]

Цифры JFM сильно различаются между источниками - см. Внешние ссылки и страницу обсуждения.

внешняя ссылка

      Si GaAs GaN SiC алмаз JFM 1 11790410 5800

Рекомендации

  1. ^ «Физические ограничения на частотные и силовые параметры транзисторов», RCA Review, вып. 26, стр. 163-177, июнь 1965 г.
  2. ^ а б c d е ж Нитрид галлия как электромеханический материал. Р-З. IEEE 2014 Таблица IV (стр. 5)