Шаши П. Карна - Shashi P. Karna - Wikipedia

Шаши П. Карна (1956 г.р.) нанотехнологии физик на базе Исследовательская лаборатория армии США, Абердин, Мэриленд. Его назвали членом Американское физическое общество в 2006 году.

Образование

Карна родился в Бихар в 1956 г.^[1] Он получил докторскую степень. (1983) и M.Sc. (1976) степень по химии от Индуистский университет Банараса, Индия и степень бакалавра математики, физики и химии (1973 г.) Университет Бхагалпура в Индии. Он является автором / соавтором более 300 статей, включая реферируемые технические статьи, материалы конференций, обзоры и главы книг. Он является соредактором нескольких книг, в том числе «Применение наноматериалов министерством обороны».^[2]^[3]^[4]^[5]

Карьера

Карна является старшим научным сотрудником по нано-функциональным материалам в Армейская исследовательская лаборатория, Управление исследования оружия и материалов, Абердинский полигон, Мэриленд. Он возглавлял Стратегическую техническую инициативу ARL по нанонаукам (2006–2008 гг.). Он работал председателем в области нанотехнологий на Армейской научной конференции (2006, 2008), симпозиуме Американского физического общества по молекулярной электронике (2003, 2005), симпозиуме Американского химического общества по нелинейным оптическим материалам (1994, 2001), исследованиям материалов. Симпозиума Общества по оптическим материалам (1999, 2003), наноматериалам - (2004, 2007) и в качестве члена Технического программного комитета Институт инженеров по электротехнике и электронике (IEEE) NANO (2001-настоящее время). Он является председателем технической группы НАТО по исследованиям сенсоров и электронных технологий по «умному текстилю». Он также является членом внешнего консультативного совета Мичиганский технологический университет, Департамент машиностроения и инженерной механики, а также член Департамента энергетики, Отдел фундаментальных исследований энергетики, Экспертная группа исследовательских центров Energy Frontiers (FERC). Он занимает должности адъюнкт-профессора в Государственный университет Нью-Йорка, Буффало, Мичиганский технологический университет, и Государственный университет Моргана.

Интересы исследования

Карна проводит фундаментальные и прикладные исследования в области наноматериалов, наставляет молодых ученых и инженеров, выявляет критические области науки и технологий в нанонауке, имеющие отношение к армейским технологиям, и работает с армейскими научно-исследовательскими центрами и высшим руководством для разработки соответствующей программы, определения и рекомендации руководству цепочки НИОКР, используя возможности внутри и за пределами Министерства обороны США. Основным направлением его исследований является фундаментальное понимание структуры и квантово-размерных свойств наноматериалов и их применения в армейских технологиях.

Книги написаны и в соавторстве

Нелинейные оптические материалы^[2]
Защитные применения наноматериалов^[3]
Нелинейные оптические материалы: теория и моделирование^[4]
Органические и нанокомпозитные оптические материалы: Материалы осеннего симпозиума 2004 MRS, Vol. 846^[5]

Профессиональное членство и присоединение

Парень, Американское физическое общество, 2006^[6]
Сотрудник исследовательской лаборатории армии США^[1]
Парень, Оптическое общество, 2004^[7]
Старший член IEEE, избран в 2000 г.
Член, Американское химическое общество
Член, Американская ассоциация развития науки

Последние публикации

Karrea PSK, Bergstrom PL, Mallick G, et al. Одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре, изготовлен методом осаждения сфокусированным ионным пучком Журнал прикладной физики 102 (2): Ст. № 024316 15 июля 2007 г.
Gowtham S, Scheicher RH, Ahuja R, et al. Физисорбция азотистых оснований на графене: плотно-функциональные расчеты Физический обзор B 76 (3): Ст. № 033401 июль 2007 г.
He HY, Pandey R, Karna SP Механизм электронной структуры спин-поляризованного электронного транспорта в системе Ni-C-60-Ni Письма по химической физике 439 (1–3): 110–114 4 мая 2007 г.
Данлап Б.И., Карна С.П., Зоп Р.Р. Дипольные моменты из потенциалов, зависящих от атомного номера, в аналитической теории функционала плотности Журнал химической физики 125 (21): Ст. № 214104 7 декабря 2006 г.
Пинеда А.С., Карна С.П. (Гипер) поляризуемости изолированных нанокластеров GaN Письма по химической физике 429 (1–3): 169–173, 29 сентября 2006 г.
He HY, Pandey R, Karna SP Теоретическое исследование молекулярно-опосредованного спин-поляризованного электронного туннелирования между магнитными материалами Письма по химической физике 428 (4–6): 411–415 20 сентября 2006 г.
He HY, Pandey R, Pati R и др. Спин-поляризованный перенос электронов самоорганизованного органического монослоя на подложке Ni (111): органический спиновый переключатель Физический обзор B 73 (19): Ст. № 1953 от 11 мая 2006 г.
Лау К.С., Пандей Р., Пати Р. и др. Теоретическое исследование электронного транспорта в борных нанотрубках Письма по прикладной физике 88 (21): Ст. № 212111 22 мая 2006 г.
Ластелла С., Маллик Дж., Ву Р. и др. Параллельные массивы индивидуально адресуемых однослойных полевых транзисторов из углеродных нанотрубок Журнал прикладной физики 99 (2): Ст. № 024302 15 января 2006 г.
Пати Р., Пинеда А.С., Пандей Р. и др. Ab initio квантово-химическое исследование переноса электрона в карборанах Письма по химической физике 406 (4–6): 483–488 2 мая 2005 г.